三星先进技术研究所(SAIT)的研究团队宣布，与蔚山国立科学技术研究所(UNIST)和剑桥大学合作，发现了一种新材料——非晶氮化硼(a-BN)。
这家韩国巨头声称，有可能加速下一代半导体的出现。无定形氮化硼(a-BN)由硼和氮原子组成，具有无定形的分子结构。
三星表示，无定形氮化硼来源于白色石墨烯，包括以六角形结构排列的硼和氮原子，而a-BN的分子结构使其不同于白色石墨烯。
非晶氮化硼具有最好的1.78的超低介电常数，较强的电学和力学性能，可用作互连和隔离材料，使电干扰最小化。
这种材料也可以在仅400的低温下生长到晶片级。因此，这种新发现的材料有望广泛应用于半导体，如DRAM和NAND解决方案，以及大型服务器的下一代存储解决方案。
三星技术研究所(SAIT)一直在研发具有单原子层的二维(2D)材料3354晶体材料。一直致力于石墨烯的研发，并在该领域取得了开创性的研究成果。SAIT一直在努力加速材料的商业化。
郑重声明：本文版权归原作者所有。文章转载只是为了传播更多信息。如作者信息标注有误，请第一时间联系我们修改或删除。谢谢你。
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 puzdycom@126.com 举报，一经查实，本站将立刻删除。
