旗舰产品骁龙875发布还不到一个月，现在所有的目光都聚集在高通。该芯片组原定于12月1日发布，但大量漏洞已经泄露了关键信息，甚至基准测试分数。现在，新的泄露加强了一些旧的信息，这表明骁龙875可能会被证明是圣地亚哥芯片设计师在移动性能上的最大飞跃之一。
来自中国的微博报道称，骁龙875将在5纳米节点制造。现在，这是众所周知的，但对于高通来说，它是三星还是TSMC是令人困惑的。根据来自中国的最新报道，高通原本在三星的5纳米平台上生产芯片，但由于生产问题，订单转移到了TSMC，后者也在为苹果和华为制造5纳米芯片。高通成为第一家为手机推出5nm芯片的公司，并在竞争中失利，但最终归结为性能和效率的提高，这将最终决定即将推出的旗舰芯片的成功。
我们真的希望性能有一个巨大的飞跃。以前的泄漏给出了参考高通SD875设备与安兔兔的成就，它比以前的骁龙865快25%。使用一个超级内核，三个高性能内核，四个高效内核，都有可能获得收益。
根据新泄露的消息，骁龙875将采用一个时钟频率为2.84GHz的超级核心，三个时钟频率为2.42GHz的ARM Cortex-A78核心和四个时钟频率为1.8GHz的ARM Cortex-A55核心，三集群CPU的配置并不新鲜，但有趣的是超级核心的性能。这大概是基于ARM 6月份发布的Cortex-X1内核。此次泄露还表明，骁龙875将配备Adreno 660 GPU和骁龙X60 5G调制解调器。
然而，高通是像4G LTE调制解调器一样集成5G调制解调器，还是像骁龙865的5G调制解调器一样保持分立，还有待观察。
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